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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
75
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
75
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.5
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
1590
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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