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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
差异
规格
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
8.5
14.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3127
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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