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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
12.6
写入速度,GB/s
8.5
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2257
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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