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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
20.6
写入速度,GB/s
9.0
14.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3393
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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