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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
66
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
14.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
66
读取速度,GB/s
14.6
17.0
写入速度,GB/s
8.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2063
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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