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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.6
15.8
写入速度,GB/s
8.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3164
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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