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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.5
18.0
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3211
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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