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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.6
13.9
写入速度,GB/s
8.3
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2389
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM的比较
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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