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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.7
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3012
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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