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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
78
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
78
读取速度,GB/s
13.9
14.2
写入速度,GB/s
8.7
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2087
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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