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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

总分
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

总分
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 35
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2479 left arrow 3422

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较

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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston K000MD44U 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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内存RAM
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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