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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.6
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
33
读取速度,GB/s
17.0
19.6
写入速度,GB/s
11.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3374
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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