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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
17.0
17.6
写入速度,GB/s
11.5
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3705
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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