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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
11.9
写入速度,GB/s
15.4
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2475
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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