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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
16.8
写入速度,GB/s
15.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3125
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
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