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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
50
左右 66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
50
读取速度,GB/s
22.8
12.5
写入速度,GB/s
15.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2326
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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