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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
50
左右 66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
50
读取速度,GB/s
22.8
12.5
写入速度,GB/s
15.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2326
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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