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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
19.5
写入速度,GB/s
15.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3430
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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