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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
13.8
写入速度,GB/s
15.4
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2140
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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