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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
14.0
14.5
写入速度,GB/s
9.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3017
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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