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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
14.0
15.3
写入速度,GB/s
9.0
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2658
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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