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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
61
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
61
读取速度,GB/s
11.4
15.0
写入速度,GB/s
7.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2028
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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