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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
18.2
写入速度,GB/s
7.4
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3538
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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