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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
17.1
写入速度,GB/s
7.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3312
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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