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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
15.9
写入速度,GB/s
7.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2881
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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