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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
14.6
写入速度,GB/s
7.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2457
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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