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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
67
读取速度,GB/s
11.4
15.9
写入速度,GB/s
7.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1895
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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