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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
14.4
写入速度,GB/s
7.4
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2486
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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