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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
62
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
62
读取速度,GB/s
11.4
14.3
写入速度,GB/s
7.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2710
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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