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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
15.8
写入速度,GB/s
7.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2866
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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