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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB 需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 37
    左右 -12% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.9 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 16.9
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 3141

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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