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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
64
读取速度,GB/s
11.4
18.0
写入速度,GB/s
7.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2197
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-173.A00G 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT42GR7MFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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