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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2527
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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