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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
11.1
写入速度,GB/s
7.4
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2386
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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