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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
4,246.9
18.3
写入速度,GB/s
1,839.1
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3482
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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