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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.2
16.1
写入速度,GB/s
9.7
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3026
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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