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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
33
读取速度,GB/s
16.2
13.5
写入速度,GB/s
9.7
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2588
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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