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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.2
14.3
写入速度,GB/s
9.7
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2103
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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