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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
52
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
52
读取速度,GB/s
13.3
10.5
写入速度,GB/s
8.8
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
2236
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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