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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.6
14.6
写入速度,GB/s
9.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2890
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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