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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
比较
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
89
左右 -305% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
89
22
读取速度,GB/s
13.6
15.0
写入速度,GB/s
6.8
7.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1518
2452
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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