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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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规格
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
12.6
16.2
写入速度,GB/s
8.6
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
3116
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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