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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
5,021.4
13.7
写入速度,GB/s
2,135.0
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2792
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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