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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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规格
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
29
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
22
读取速度,GB/s
14.3
18.2
写入速度,GB/s
10.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3138
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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