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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
14.3
15.4
写入速度,GB/s
10.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2438
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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