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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
13.2
17.7
写入速度,GB/s
8.2
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2165
3483
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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