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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
17.8
写入速度,GB/s
8.6
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3337
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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