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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.1
15.8
写入速度,GB/s
8.6
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2962
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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