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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
12.1
14.7
写入速度,GB/s
8.6
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2908
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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