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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
81
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
81
读取速度,GB/s
12.1
8.5
写入速度,GB/s
8.6
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
1651
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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