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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
6.1
22.4
写入速度,GB/s
4.2
16.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
4012
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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